박현창

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2000

Conference

AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT의 도핑층 설계에 따른 특성 변화 연구

박현창

2000-04-28
대한민국

1999

Conference

전자선 묘화를 이용한 0.2um의 게이트 길이를 갖는 MIMIC용 wide-head T-gate

박현창

1999-11-27
대한민국

Conference

Design, fabrication and analysis of S-band MMIC power amplipfier

박현창

1999-09-15
대한민국

Conference

Design, analysis and fabrication of WLL MMIC power amplifier

박현창

1999-07-13
일본

Conference

Field Plate를 채용한 Ni/SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구

박현창

1999-02-09
대한민국

1998

Conference

Ti/Ag ohmic contacts to n-type GaN

박현창

1998-11-06
대한민국

Conference

Fabrication and Characterization of High Breakdown Voltage Ni/4H-SiC and Ni-/6H-SiC Schottky Diodes

박현창

1998-11-06
대한민국

Conference

p-형 6h-SiC에 성장한 열산화막의 전기적 특성 연구

박현창

1998-04-24
대한민국

Conference

Ni-6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 특성

박현창

1998-04-24
대한민국

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박현창

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AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT의 도핑층 설계에 따른 특성 변화 연구

전자선 묘화를 이용한 0.2um의 게이트 길이를 갖는 MIMIC용 wide-head T-gate

Design, fabrication and analysis of S-band MMIC power amplipfier

Design, analysis and fabrication of WLL MMIC power amplifier

Field Plate를 채용한 Ni/SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구

Ti/Ag ohmic contacts to n-type GaN

Fabrication and Characterization of High Breakdown Voltage Ni/4H-SiC and Ni-/6H-SiC Schottky Diodes

p-형 6h-SiC에 성장한 열산화막의 전기적 특성 연구

Ni-6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 특성