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65nm CMOS공정을 이용한 FMCW 레이더 및 라디오미터 일체형 센서용 광대역 IF 가변 이득 증폭기A Wideband IF Variable Gain Amplifier for a Combined FMCW Radar and Radiometer Sensor in 65-nm CMOS
- Other Titles
- A Wideband IF Variable Gain Amplifier for a Combined FMCW Radar and Radiometer Sensor in 65-nm CMOS
- Issue Date
- Oct-2018
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- FMCW; Variable Gain Amplifier (VGA); wideband; CMOS
- Citation
- 전자공학회논문지, v.55, no.10, pp 61 - 66
- Pages
- 6
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전자공학회논문지
- Volume
- 55
- Number
- 10
- Start Page
- 61
- End Page
- 66
- ISSN
- 2287-5026
2288-159X
- Abstract
- 본 논문은 FMCW (Frequency-modulated continuous-wave) 레이더 및 레디오미터 센서가 결합된 수신 전단부용 IF 증폭기로 이용할 수 있는 광대역 가변 이득 증폭기 (VGA)를 65nm CMOS 공정을 이용하여 구현한 내용을 다룬다. 구현된 광대역 IF 가변 이득 증폭기는 통합된 64 비트 SPI scan-chain에 의해 제어된다. 구현된 가변 증폭기의 측정된 최대이득은 31.4 dB, 가변이득범위는 4.5 dB～31.4 dB, 3-dB 대역폭은 약 2 GHz 이고, 입력단 1dB 이득 압축점 (P1dB)은 -38.81 dBm이다. 본 가변 증폭기는 1.2V의 전원에서 14.1 mA의 전류를 소모한다. 또한, 가변 이득 증폭기를 구성하는 가변이득단 및 컨트롤 회로, DC 오프셋제거기 및 공통되먹임(CMFB)회로, 출력 버퍼 등, 핵심블록이 차지하고 있는 칩면적은 410 μm×336 μm이다.
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Related Researcher
- Park, Jung Dong
- College of Engineering (Department of Electronics and Electrical Engineering)