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탄소나노튜브 층간층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 노용영 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-09-09T07:32:20Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-09T07:32:20Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.dongguk.edu/handle/sw.dongguk/59839 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 목적은 전극과 반도체층 사이의 트랩이 줄어들게 하여 소자의 성능이 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은 전극과 반도체성 사이에 접촉저항을 낮출 수 있는 박막트랜지스터를 제공하는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 p타입 특성 및 n타입 특성이 모두 잘 나올 수 있는 좋은 성능의 박막트랜지스터를 제공하는 데 있다. | - |
| dc.title | 탄소나노튜브 층간층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | CNT interlayer, Prparing thereof and Thin-film transistor using the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.contributor.assignee | ㈜나노웨어러블 | - |
| dc.date.application | 2014-05-14 | - |
| dc.date.registration | 2015-12-09 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1577896 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0057719 | - |
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Collections - ETC > 4. Patents
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