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그라핀 옥사이드의 저항 스위칭 특성을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법Nonvolatile memory device using the resistive switching of graphene oxide and the fabrication method thereof
- Alternative Title
- Nonvolatile memory device using the resistive switching of graphene oxide and the fabrication method thereof
- Abstract
- 환원된 그라핀 옥사이드(r-GO) 박막을 이용한 메모리 소자이며, 유연한 기판 상에 제작이 가능하며, 기존의 반도체 공정 뿐 아니라 저렴한 인쇄법으로도 제조가 가능한 비휘발성 메모리 소자의 제조방법을 제공한다.
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Collections - ETC > 4. Patents
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