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그라핀 옥사이드의 저항 스위칭 특성을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이상욱 | - |
| dc.contributor.author | 파닌 | - |
| dc.contributor.author | 강태원 | - |
| dc.contributor.author | 알리샤 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-09-09T06:32:43Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-09T06:32:43Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.dongguk.edu/handle/sw.dongguk/59289 | - |
| dc.description.abstract | 환원된 그라핀 옥사이드(r-GO) 박막을 이용한 메모리 소자이며, 유연한 기판 상에 제작이 가능하며, 기존의 반도체 공정 뿐 아니라 저렴한 인쇄법으로도 제조가 가능한 비휘발성 메모리 소자의 제조방법을 제공한다. | - |
| dc.title | 그라핀 옥사이드의 저항 스위칭 특성을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Nonvolatile memory device using the resistive switching of graphene oxide and the fabrication method thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.contributor.assignee | 동국대학교산학협력단 | - |
| dc.date.application | 2011-02-14 | - |
| dc.date.registration | 2012-06-11 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1157105 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0012801 | - |
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Collections - ETC > 4. Patents
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