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W-band 도파관 FTO 적용을 위한 전류제한 InP Gunn diode 설계 및 제작Design and fabrication of current limiting InP Gunn diode for W-band waveguide FTO
- Other Titles
- Design and fabrication of current limiting InP Gunn diode for W-band waveguide FTO
- Issue Date
- Mar-2014
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- InP Gunn 다이오드; 패키지; second harmonic; W-band; FTO
- Citation
- 전자공학회논문지, v.51, no.3, pp 45 - 54
- Pages
- 10
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전자공학회논문지
- Volume
- 51
- Number
- 3
- Start Page
- 45
- End Page
- 54
- ISSN
- 2287-5026
2288-159X
- Abstract
- 전류제한 에피 구조를 적용하여 MINT에서 개발한 최적화된 공정방법으로 InP Gunn 다이오드 칩을 제작하고 칩을 이용하여 MINT의 최적화된 조건을 이용하여 패키지 하였다. 또한 제작된 패키지 InP Gunn 다이오드의 RF 특성을 측정하기 위하여 2체배 구조의 W-band 도파관 FTO(Fixed Tuned Oscillator)를 설계 및 제작하였다. 패키지된 InP Gunn 다이오드는 ceramic ring, Au plating stud와 lid 그리고 Maltese cross로 구성되어있다. 측정된 20개의 InP Gunn 다이오드는 최대 전류가 399 mA의 전류특성을 가지고 92.9～94.78 GHz에서 발진하였고 11.8～17.8 dBm 의 출력전력을 얻었다.
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Related Researcher
- Park, Hyun Chang
- College of Engineering (Department of Electronics and Electrical Engineering)