ScholarWorks@동국대학교

초록

본 발명은 고효율 바나듐 레독스 흐름전지(vanadium redox flow battery: VRFB)를 위한 높은 전기화학적 안전성과 가역성을 가진 바나듐 양극 전해질에 관한 것으로, 상세하게는 충전 시 양극 전해질 내 바나듐 4가(V(IV))에서 5가(V(V))의 산화반응 외 (장기운전 등으로 인한 온도상승 등으로) 바나듐 5가 이온 V(V)의 부 반응으로 발생하는 침전반응 메커니즘(V2O5 생성 프로세서)을 새롭게 규명하여 침전물의 원인이 되는 V2O5 생성 방지를 위하여 수용액 내에서 바나듐 양극 활물질 V(IV)/V(V)과 배위결합 반응이 가능한 바나듐 착물 리간드(vanadium-complexing ligand) 물질을 포함한 것을 특징으로 하고 이의 리간드 결합한 V(IV)/V(V) 착화합성물(V(IV)/V(V) complex compound)을 양극활물질로 사용하는 것을 또 다른 특징으로 하는 바나듐 양극 전해질에 관한 것이다.