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초록
환원된 그라핀 옥사이드(r-GO) 박막을 이용한 메모리 소자이며, 유연한 기판 상에 제작이 가능하며, 기존의 반도체 공정 뿐 아니라 저렴한 인쇄법으로도 제조가 가능한 비휘발성 메모리 소자의 제조방법을 제공한다.
- 제목
- 그라핀 옥사이드의 저항 스위칭 특성을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법
- 제목 (타언어)
- Nonvolatile memory device using the resistive switching of graphene oxide and the fabrication method thereof
- 저자
- 이상욱; 파닌; 강태원; 알리샤
- 발행일
- 2012-06-11
- 출원번호
- 10-2011-0012801
- 등록번호
- 10-1157105
- 출원일
- 2011-02-14
- 등록일
- 2012-06-11