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- 제목
- Comparative studies on the conventional Metamorphic High Electron Mobility Transistor & InP-composite channel Metamorphic High Electron Mobility Transistor on the Breakdown Voltage
- 저자
- 이진구
- 발행일
- 2005-06-28
- 학회명
- Asia- Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor
- 개최지
- 서울
- 학회 개최일
- 2005-06-28 ~ 2005-06-30