[연차포기]접촉 구조의 나노로드 반도체 소자 및 그 제조 방법

Semiconductor device having active nanorods array and Manufacturing method thereof
  • 겐나디 파닌
  • 이상욱
  • 강태원
  • 조학동

초록

환원된 그라핀 옥사이드(r-GO) 박막을 이용한 메모리 소자 및 제조방법이며, 유연한 기판 상에 제작이 가능하며, 기존 반도체 공정은 물론, 저렴한 인쇄법을 이용하여 제조가 가능한 메모리 소자 및 제조방법을 제공합니다.

제목
[연차포기]접촉 구조의 나노로드 반도체 소자 및 그 제조 방법
제목 (타언어)
Semiconductor device having active nanorods array and Manufacturing method thereof
저자
겐나디 파닌이상욱강태원조학동
발행일
2010-08-02
출원번호
10-2009-0129029
등록번호
10-0974626
출원일
2009-12-22
등록일
2010-08-02