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초록
본 발명의 목적은 전극과 반도체층 사이의 트랩이 줄어들게 하여 소자의 성능이 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은 전극과 반도체성 사이에 접촉저항을 낮출 수 있는 박막트랜지스터를 제공하는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 p타입 특성 및 n타입 특성이 모두 잘 나올 수 있는 좋은 성능의 박막트랜지스터를 제공하는 데 있다.
- 제목
- 탄소나노튜브 층간층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터
- 제목 (타언어)
- CNT interlayer, Prparing thereof and Thin-film transistor using the same
- 저자
- 노용영
- 발행일
- 2015-12-09
- 출원번호
- 10-2014-0057719
- 등록번호
- 10-1577896
- 출원일
- 2014-05-14
- 등록일
- 2015-12-09