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산화막 기둥을 포함한 수직방향 트랜지스터 기반 2T DRAM 셀
2T DRAM cell with vertical transistor having oxide pillar
- 김수연;
- 공성환;
- 심원보
- 제목
- 산화막 기둥을 포함한 수직방향 트랜지스터 기반 2T DRAM 셀
- 제목 (타언어)
- 2T DRAM cell with vertical transistor having oxide pillar
- 저자
- 김수연; 공성환; 심원보
- 발행일
- 2025-11-06
- 출원번호
- 10-2024-0071309
- 등록번호
- 10-2884514
- 출원일
- 2024-05-31
- 등록일
- 2025-11-06