반도체에 대한 펨토초 레이저를 이용한 광 펌프 및 테라헤르츠파의 투과 및 반사의 시분해 측정을 이용한 반도체 박막분석, 공정 모니터링 그리고 공정모니터링을 통한 공정제어 방법
Process monitoring and control method through semiconductor analysis using time-resolved measurement of transmission and reflection of THz
  • 조만호
  • 김종훈
  • 정광식

초록

본 발명은 반도체의 특성 중 결함농도를 비접촉-비파괴적으로 북석하기 위하여 펨토초 레이져를 이용하여 광 여기된 캐리어의 재결합 과정을 테라헤르츠파의 투과 및 반사의 시분해 측정을 통하여 분석하는 방법에 관한것으로서, 더욱 상세하게는 화합물 반도체의 광여기된 캐리어의 재결합 속도를 분석하여 화합물 반도체의 결함의 밀도 및 종류를 분리하여 분석하고 공정을 모니터링하고 제어하는 방법에 관한 것이다.

제목
반도체에 대한 펨토초 레이저를 이용한 광 펌프 및 테라헤르츠파의 투과 및 반사의 시분해 측정을 이용한 반도체 박막분석, 공정 모니터링 그리고 공정모니터링을 통한 공정제어 방법
제목 (타언어)
Process monitoring and control method through semiconductor analysis using time-resolved measurement of transmission and reflection of THz
저자
조만호김종훈정광식
발행일
2024-11-14
출원번호
10-2022-0013499
등록번호
10-2732045
출원일
2022-01-28
등록일
2024-11-14