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- 제목
- 인듐갈륨나이트라이드 양자 웰을 가지는 나노막대 어레이 구조의 고휘도 발광다이오드 및 그 제조방법
- 제목 (타언어)
- Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same
- 저자
- 강태원; 김화목; 정관수
- 발행일
- 2008-07-08
- 출원번호
- US11/463,474
- 등록번호
- US7396696
- 출원일
- 2006-08-09
- 등록일
- 2008-07-08
- 지식재산권 유형
- 특허
- 양수인
- 동국대학교산학협력단