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인듐갈륨나이트라이드 양자 웰을 가지는 나노막대 어레이 구조의 고휘도 발광다이오드 및 그 제조방법
Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 강태원 | - |
| dc.contributor.author | 김화목 | - |
| dc.contributor.author | 정관수 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-12-22T01:13:10Z | - |
| dc.date.available | 2025-12-22T01:13:10Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.dongguk.edu/handle/sw.dongguk/62495 | - |
| dc.title | 인듐갈륨나이트라이드 양자 웰을 가지는 나노막대 어레이 구조의 고휘도 발광다이오드 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.location | 미국 | - |
| dc.contributor.assignee | 동국대학교산학협력단 | - |
| dc.date.application | 2006-08-09 | - |
| dc.date.registration | 2008-07-08 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | US7396696 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | US11/463,474 | - |
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Collections - ETC > 4. Patents
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