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두층으로 이루어진 반도체 단일벽 탄소나노튜브 트랜지스터
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 노용영 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-09-09T08:06:10Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-09T08:06:10Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.dongguk.edu/handle/sw.dongguk/60316 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 네크워크 구조를 갖는 코팅된 cnt필름을 반도체 층으로 제조된 cnt트랜지스터의 전하 이동도 및 성능을 향상시키기 위해서 서로 다른 직경을 지닌 두 가지 종류의 반도체 cnt를 용액상태로 두 번의 코팅을 통해서 적층하여 높은 이동도와 전류점멸비를 갖는 cnt트랜지스터를 제공하는데 있다. | - |
| dc.title | 두층으로 이루어진 반도체 단일벽 탄소나노튜브 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | carbon nanotube transistors with bilayered semiconductor carbon nanotube film | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.contributor.assignee | 동국대학교산학협력단 | - |
| dc.date.application | 2017-12-28 | - |
| dc.date.registration | 2020-09-21 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2160329 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0181813 | - |
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Collections - ETC > 4. Patents
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