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금속 및 산화물에 선택적으로 작용하는 자기조립단분자층을 이용한 맞물림 후면 전극 형성 및 두 전극 간 간격 조정 기술
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 심재원 | - |
| dc.contributor.author | 구지수 | - |
| dc.contributor.author | 신상철 | - |
| dc.contributor.author | 유영준 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-09-09T08:04:19Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-09T08:04:19Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.dongguk.edu/handle/sw.dongguk/60189 | - |
| dc.title | 금속 및 산화물에 선택적으로 작용하는 자기조립단분자층을 이용한 맞물림 후면 전극 형성 및 두 전극 간 간격 조정 기술 | - |
| dc.title.alternative | Realization of interdigitated back contact and distance controling techniques by using selectively adsorbing self-assembled monolayer (SAM) on metal and oxide. | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.contributor.assignee | 동국대학교산학협력단 | - |
| dc.date.application | 2017-11-09 | - |
| dc.date.registration | 2019-11-19 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2048417 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0148496 | - |
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Collections - ETC > 4. Patents
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