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[연차포기]접촉 구조의 나노로드 반도체 소자 및 그 제조 방법

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dc.contributor.author겐나디 파닌-
dc.contributor.author이상욱-
dc.contributor.author강태원-
dc.contributor.author조학동-
dc.date.accessioned2025-09-09T07:35:03Z-
dc.date.available2025-09-09T07:35:03Z-
dc.identifier.urihttps://scholarworks.dongguk.edu/handle/sw.dongguk/60001-
dc.description.abstract환원된 그라핀 옥사이드(r-GO) 박막을 이용한 메모리 소자 및 제조방법이며, 유연한 기판 상에 제작이 가능하며, 기존 반도체 공정은 물론, 저렴한 인쇄법을 이용하여 제조가 가능한 메모리 소자 및 제조방법을 제공합니다.-
dc.title[연차포기]접촉 구조의 나노로드 반도체 소자 및 그 제조 방법-
dc.title.alternativeSemiconductor device having active nanorods array and Manufacturing method thereof-
dc.typePatent-
dc.publisher.location대한민국-
dc.contributor.assignee동국대학교산학협력단-
dc.date.application2009-12-22-
dc.date.registration2010-08-02-
dc.type.iprs특허-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-0974626-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2009-0129029-
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