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다층의 반도체층으로 구성된 듀얼게이트 트랜지스터
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 노용영 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-09-09T07:06:49Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-09T07:06:49Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.dongguk.edu/handle/sw.dongguk/59813 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 저온공정이 가능한 트랜지스터로 기존의 트랜지스터보다 성능을 향상시킬 수 있는 듀얼게이트 트랜지스터 기술을 제공하고자 한다. 본 발명의 다른 하나의 목적은 용액공정이 가능한 듀얼게이트 트랜지스터기술을 제공하는데 있다. 본 발명의 목적은 높은 축전용량을 얻을 수 있는 동시에 빠른 구동속도를 가질 수 있는 듀얼게이트 트랜지스터를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은 용이한 전압 보정으로 안정적인 트랜지스터 구동이 가능한 듀얼게이트 트랜지스터를 제공하는 데 있다. | - |
| dc.title | 다층의 반도체층으로 구성된 듀얼게이트 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | Dual gate transistors including multi semiconductor layers | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.contributor.assignee | 동국대학교산학협력단 | - |
| dc.date.application | 2016-02-19 | - |
| dc.date.registration | 2017-11-01 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1795212 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0019735 | - |
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Collections - ETC > 4. Patents
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