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고분자 게이트 절연막과 이를 적용한 트랜지스터
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 노용영 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-09-09T07:04:25Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-09T07:04:25Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.dongguk.edu/handle/sw.dongguk/59656 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 유연한 디스플레이나 유연전자소자를 구현하기 위해서 적용되는 트랜지스터의 구동전압을 효과적으로 낮추기 위해서 저전압 구동이 가능한 유기절연막에 대한 기술을 제공하는데 있다. 비교적 높은 dielectric constant을 지닌 불소 함유 강유전체 고분자인 PVDF-TrFE 혹은 PVDF에 더 높은 dielectric constant를 지닌 이온을 함유한 겔 형태의 이온겔 용액을 매우 소량 첨가하여 두상의 상분리를 통해서 이온겔:불소계 절연고분자 수직적 적층을 형성하고 이를 통해서 트랜지스터의 구동전압은 매우 낮추고 소자의 구동속도는 높은 수준으로 유지되는 저전압구동 고속 유기게이트 절연막기술을 제공하는데 목적이 있다. 상기한 절연막을 통해서 유연전자소자에 적용되는 유기박막트랜지스터 뿐만아니라 실리콘, 금속산화물, CNT, 그래핀등 다양한 유연 반도체소재의 절연막으로 적용가능하여 상기한 반도체 소재를 지닌 트랜지스터의 구동소자는 일반적인 전기적 쌍극자를 형성하는 절연막과 같은 수준을 유지하면서 구동전압을 효과적으로 낮출 수 있게 된다. | - |
| dc.title | 고분자 게이트 절연막과 이를 적용한 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | Polymer gate dielectrics and transisors including thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.contributor.assignee | 동국대학교산학협력단 | - |
| dc.date.application | 2015-02-25 | - |
| dc.date.registration | 2016-08-25 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1653097 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0026592 | - |
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Collections - ETC > 4. Patents
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