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방사선(전자빔, 감마선 등) 조사를 통하여 질소가 도핑된 그라핀의 제조 방법
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정현 | - |
| dc.contributor.author | 강명구 | - |
| dc.contributor.author | 양정훈 | - |
| dc.contributor.author | 이동헌 | - |
| dc.contributor.author | 조미루 | - |
| dc.contributor.author | 강용묵 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-09-09T07:02:32Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-09T07:02:32Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.dongguk.edu/handle/sw.dongguk/59517 | - |
| dc.description.abstract | 방사선을 이용하여 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 방사선을 이용하여 질소 전구체가 포함되어 있는 그라파이트 산화물 혼합용액으로부터 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 새로운 제조법에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 방사선(전자빔, 감마선 등) 조사를 통하여 질소가 도핑된 그라핀의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Method for nitrogen-doped graphene by radioactive ray irradiation | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.contributor.assignee | 동국대학교산학협력단 | - |
| dc.date.application | 2013-12-10 | - |
| dc.date.registration | 2015-03-03 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1500880 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0153108 | - |
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