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3C-Sic 기판위에 MBE법에 의해 성장된 β-GaN의 성장 및 특성

강태원

ConferenceIssue Date1996Place대한민국; 수원
A study on deep level defects of GaN by TSC

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ConferenceIssue Date2000Place대한민국; 서울대
A study on deep level defects of GaN by TSC

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ConferenceIssue Date2000Place대한민국; 서울
A Study on ohmic contact to p-type GaN

강태원

ConferenceIssue Date2000Place대한민국; 서울
A study on ohmic contact to p-type GaN

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ConferenceIssue Date2000Place대한민국; 서울대
A Studyof Defects in AlGaN/GaN Heterostructures

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ConferenceIssue Date2002Place미국; Renaissance Hotel,San Francisco
Abnormal Temperature-dependent Photoluminescence Characteristics of Stacked InAs Self-assembled Quantum...

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ConferenceIssue Date2000Place중국; Beijing 국제호텔
Absorption, Emission, and Carrier Dynamics Study of MOCVD-Grown AlGaN Alloys

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ConferenceIssue Date2000Place대한민국; 제주
AlGaN/GaN heterostructure 구조에서 형성되는 trapping level에관한 연구

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ConferenceIssue Date2002Place대한민국; 부산전시컨벤션센터,부산
AlGaN/GaN Heterostructure에서 형성되는 2DEG의 광학적 특성 연구

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ConferenceIssue Date2003Place대한민국; 한양대학교
AlN buffer layer의 성장에 따른 GaN의 polarity 연구

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ConferenceIssue Date2001Place대한민국; 광주
An Investigation of various post-hydrogenation for InP-based HEMTs

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ConferenceIssue Date2001Place대한민국; 서울
Analysis of compensation due to correlation effect in In:CdTe

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ConferenceIssue Date1997Place대한민국; 대전
Analysis of Exciton-Phonon Coupling in ZnxCd1-xTe by Low Temperature Photoluminescence Spectroscopy

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ConferenceIssue Date1998Place대한민국; 서울
As을 이용한 CdTe 및 HgCdTe의 도핑 특성 연구

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ConferenceIssue Date1996Place대한민국; 서울
Au doped p type Hg1-xCdxTe layers grown by MBE

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ConferenceIssue Date2003Place대한민국; 한양대학교
Au 나노 입자를 식각 마스크로 이용한 nc-Si의 형성과 특성 분석

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ConferenceIssue Date2001Place대한민국; 광주
Au/Ni/Si/Ni ohmic contacts to p-type GaN

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ConferenceIssue Date1999Place대한민국; 성균관대
Band Gap Engineering in ZnO1-Sex Films Grown Using Pulsed Laser Deposition

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ConferenceIssue Date2011Place대한민국
Band structure of Te/Si(001)2×1 surface

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ConferenceIssue Date1999Place대한민국; 대전
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